半导体资本支出 将首次超过千亿美元

　　晋江新闻网9月5日讯 近日，集成电路领域专业分析机构IC Insights预测，今年全球集成电路半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是电子元器行业首次在资本支出上花费超过1000亿美元，其中存储器领域占比达到53%。

　　据悉，该1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%，比2016年增长了38%；超过一半的行业资本支出预计用于内存生产——主要是高端集成电路存储器产品DRAM和闪存，这些支出的内容主要包括了对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级，总体而言，预计今年内存将占到半导体资本支出的53%。

　　数据显示，存储设备的资本支出份额在过去六年大幅增加，几乎翻了一番，从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的行业资本支出总额的53%(540亿美元)，也就是说存储产业的投资在2013-2018年间的复合年增长率高达惊人的30%。

　　不过，IC Insights也表示，这两年资本的支出大幅增加，产生的一个迫在眉睫的主要问题：高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。该机构表示，存储市场发展的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。

　　但目前看来，包括三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝及国内长江存储技术等新兴内存企业都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量或投资DRAM市场。

　　业内专家认为，资本关注集成电路产业在近两年尤为明显，而在存储市场的投入占比明显，则显示出资本市场对技术门槛更高要求的存储器市场的看好。在顶尖技术已经受到制造工艺极限限制的当下，无论存储器产品价格如何变动，都将是集成电路产业内存储器格局变革的重大机遇。

　　(记者 柯国笠)