明年集成电路DRAM供给 延续吃紧走势

　　晋江新闻网9月20日讯 近日，集成电路专业研究机构集邦咨询半导体研究中心调查显示，2018年，各大集成电路存储器DRAM厂商的资本计划未能覆盖该年度，意味着产能扩张将趋缓，预计2018年DRAM总体产业的年供给成长率为19.8%，维持在近年来的低点，而明年整体DRAM需求端年成长预计将达20.6%，使得供给吃紧将延续。

　　从行业总体来看，需求端方面，智能手机内存容量已经升级，标准搭配普遍跨过4G容量，大数据、云计算带动的服务器、存储等也带来强劲的需求，加上车用存储器等，都在拉升明年需求的增长；供给端方面，兴建一座新厂满足市场需求是国际厂商必然的决策，然而，一座12寸工艺的存储器厂的建设最短需要超过一年，加上机台的移入和试产，产能补足时间只能在2019年释放。从目前国际三大DRAM厂三星、海力士、美光的产能规划来看，预计明年总新增产能仅为5%~7%。

　　目前，三星仅有极有限的部分空间可增加产能，正规划兴建的第二座12寸厂投入时间预估在2019年；海力士增加投片，决议在无锡兴建第二座12寸厂，预计最快产能也在2019年实现；美光提升的现有厂能空间则无法填补大的需求空白。

　　在国际储存器大厂产能规划与市场需求断层的同时，国内集成电路存储器新建厂商正试图追赶。近几年来，全球半导体产业重心一直在向国内转移，中国已逐渐成为全球半导体产业的主体市场，增长速度高于全球。全球公布的新增12寸新厂中，国内厂商令人瞩目，为此国家及地方集成电路产业基金投资也都火热。18日，芯片替代板块全天涨幅高达4.53%，位列行业、概念涨幅第二，集成电路板块涨幅3.42%，半导体板块涨幅2.71%，三大板块集体高涨，不少个股实现涨停，昨日市场总体继续上涨。

　　(记者_柯国笠)